5 февраля, 02:27

Intel и SoftBank объединяют усилия для разработки памяти следующего поколения для ИИ

Тренднавигатор
Тренднавигатор
Акции Intel растут на фоне начала сотрудничества с дочерней компанией SoftBank в области памяти для ИИ Акции Intel INTC выросли более чем на 4 на предрыночных торгах во вторник поскольку компания готовится к сотрудничеству с дочерней компанией SoftBank SFTBY для производства памяти для искусственного интеллекта Intel будет сотрудничать с компанией Saimemory принадлежащей SoftBank и созданной в декабре 2024 года для продвижения коммерциализации памяти Z Angle описываемой как технология памяти следующего поколения разработанная для высокой емкости высокой пропускной способности и низкого энергопотребления Первый прототип планируется создать в финансовом году заканчивающемся 31 марта 2028 года финансовый 2027 год а коммерциализация начнётся в финансовом 2029 году говорится в заявлении SoftBank Благодаря использованию технологии памяти следующего поколения ZAM Saimemory и Intel будут работать вместе чтобы обеспечить обработку данных большой ёмкости и высокой пропускной способности повысить производительность обработки и снизить энергопотребление в центрах обработки данных и других средах требующих обучения и вывода крупномасштабных моделей ИИ говорится в заявлении SoftBank Акции SoftBank выросли более чем на 3 на японских торгах за ночь Сделка по разработке памяти следующего поколения для ИИ это последнее сотрудничество между Intel и SoftBank В августе SoftBank согласился инвестировать 2 миллиарда долларов в Intel в рамках реструктуризации компании Инвестиции были завершены в следующем месяце
ZAM Intel планирует ворваться на рынок оперативной памяти с принципиально новой технологией Компания хочет заработать на буме ИИ сектора
iXBT.games. Короче
iXBT.games. Короче
ZAM Intel планирует ворваться на рынок оперативной памяти с принципиально новой технологией Компания хочет заработать на буме ИИ сектора
Компания SoftBank заключила партнерское соглашение с INTC для ускорения коммерциализации Z Angle Memory ZAM архитектуры памяти следующего поколения ZAM разработан для обеспечения более высокой пропускной способности и емкости при значительно меньшем энергопотреблении
Финансы | Банки
Финансы | Банки
Компания SoftBank заключила партнерское соглашение с INTC для ускорения коммерциализации Z Angle Memory ZAM архитектуры памяти следующего поколения ZAM разработан для обеспечения более высокой пропускной способности и емкости при значительно меньшем энергопотреблении
Intel объявила о намерении вернуться на рынок памяти и анонсировала новый стандарт DRAM Intel официально объявила о заключении партнерского соглашения с фирмой SAIMEMORY дочерняя структура SoftBank в рамках которого компании будут разрабатывать и продвигать новый тип памяти под названием Z Angle Memory ZAM
DNS_Club
DNS_Club
Intel объявила о намерении вернуться на рынок памяти и анонсировала новый стандарт DRAM Intel официально объявила о заключении партнерского соглашения с фирмой SAIMEMORY дочерняя структура SoftBank в рамках которого компании будут разрабатывать и продвигать новый тип памяти под названием Z Angle Memory ZAM
HOMISH
HOMISH
На фоне взрывного роста спроса на DRAM вызванного бумом ИИ инфраструктуры и активными закупками со стороны гиперскейлеров Intel намерена воспользоваться моментом и запустить новый стандарт памяти совместно с Saimemory дочерней компанией SoftBank По данным источников партнеры работают над технологией Z Angle Memory ZAM альтернативой традиционным решениям вроде HBM Разработка началась еще в рамках программы Advanced Memory Technology AMT инициированной Министерством энергетики США где Intel демонстрировала свои наработки в области DRAM бондинга нового поколения Хотя SoftBank в официальных материалах не раскрывает деталей позиционирования ZAM сама концепция указывает на серьезный отход от классической архитектуры памяти Ключевая идея ZAM так называемое Z угловое соединение слоев В отличие от стандартных подходов где межслойные соединения проходят строго вертикально новая схема предполагает диагональную маршрутизацию внутри стеков кристаллов Это позволяет эффективнее использовать площадь кремния под ячейки памяти повышать плотность и одновременно снижать тепловое сопротивление