ПАО «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство транзисторов в Воронеже

ГК Элемент инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов — Ъ Читать далее #ELMT

Элемент #ELMT ГК «Элемент» инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов ГК «Элемент» инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы – НИИ электронной техники в Воронеже. Реализация проекта позволит создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла. Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год. Источник: kommersant.ru

"Элемент" инвестирует 4,4 млрд в силовые транзисторы для телеком-оборудования. ГК "Элемент" собирается направить 4,4 млрд рублей на создание производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия, проект запустят на базе одного из своих предприятий - НИИ электронной техники НИИЭТ в Воронеже. В результате будет создано первое в России предприятие полного цикла по выпуску GaN-транзисторов. Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год. При этом проект реализуется с использованием льготного финансирования в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы ФРП . Это не единственный проект, поддержанный ФРП - осенью прошлого года НИИЭТ запустил новую линию сборки электронных компонентов в современных металлополимерных корпусах. На это "Элемент" получил от Фонда развития промышленности 616 млн рублей в виде льготного займа по программе "Комплектующие изделия". При этом за тот же 2024 год четыре топ-менеджера Иванцов, Баланин, Хазов, Котляков получили 393,9 млн рублей в виде премий, и это в 11,4 раза больше, чем по результатам 2023 года. На 2025-2026 годы Минпромторг значительно уменьшил финансирование господдержки электроники, и в ближайшие пару лет менеджерам все же придется выбирать, куда направить "лишние" деньги - на премии или запуск новых проектов. Но это не точно. ™ МашТех

Группа компаний «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла будет запущено на базе одного из ведущих предприятий группы — НИИ электронной техники НИИЭТ в Воронеже, где уже серийно выпускается широкая линейка приборов на основе GaN-on-Si нитрид галлия на кремнии . Проектная мощность производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год. В первую очередь производство рассчитано на обеспечение потребностей ГК «Элемент» в силовых транзисторах на нитриде галлия, которые используются в производимых другими предприятиями Группы устройствах — блоках питания, в том числе серверных, и модулях усилителя радиосигнала в телекоммуникационном оборудовании.

Силовые транзисторы. GaN. Производство. Россия Воронежский НИИЭТ займется производством силовых транзисторов GaN полного цикла Инвестировать в проект будет материнская ГК Элемент с использованием льготного финансирования ФРП в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы КИП . Об этом рассказывает КоммерсантЪ. Компания уже имеет мощности по сборке СВЧ и силовых переключающих GaN-транзисторов, их планируется дополнить кристальным производством. В совокупности должно получиться производство полного цикла. Проектная мощность запланирована на уровне 5.5 тысяч пластин в эквиваленте 200 мм пластин в год.

Наполните корзину всем необходимым и тратьте меньше благодаря нашим суперценам.

«Элемент» вложит 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов Крупнейший разработчик и производитель микроэлектроники в России группа компаний «Элемент» инвестирует 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия GaN . Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы — НИИ электронной техники НИИЭТ в Воронеже. По словам представителя «Элемента», реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла. Выбор НИИЭТ в качестве площадки для размещения кристального производства представитель «Элемента» объясняет наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия. ⏺подписаться

«Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в кристальное производство на базе НИИЭТ в Воронеже ПАО «Элемент» объявило о начале масштабного инвестиционного проекта в Воронежской области. Компания направит 4,4 млрд рублей на создание кристального производства силовых транзисторов на нитриде галлия GaN на базе НИИ электронной техники НИИЭТ . Производство планируется запустить к 2028 году, а через два года вывести на проектную мощность — 5,5 тыс. 200-мм пластин в год. Новые транзисторы будут использоваться для собственных нужд группы — их применят в модулях усиления радиосигнала, в блоках питания базовых станций, а также в современных серверных решениях. НИИЭТ уже обладает опытом в серийном выпуске GaN-силовых приборов и сборке СВЧ- и переключающих транзисторов. Реализация проекта позволит создать первое в России производство нитрид-галлиевых транзисторов полного цикла. Инвестиции в размере 4,4 млрд рублей выделяются с применением механизмов кластерной инвестиционной платформы КИП Фонда развития промышленности ФРП . Сумма льготного кредита по КИП может составлять до 80% стоимости инвестпроекта. Расширение производства НИИЭТ происходит в рамках масштабной инвестпрограммы «Элемента» объемом 92 млрд рублей, финансирование которой уже обеспечено на 90%.

Компания «Элемент» планирует вложить 4,4 миллиарда рублей в создание производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Новое предприятие станет первым в России, осуществляющим полный цикл производства GaN-транзисторов. Его разместят на базе НИИ электронной техники НИИЭТ в Воронеже, где уже серийно производятся приборы на основе GaN-on-Si, то есть нитрида галлия на кремнии. Производственная мощность комплекса рассчитана на выпуск 5,5 тысяч пластин в эквиваленте 200 мм в год. Основной задачей нового производства станет удовлетворение потребностей группы компаний в силовых транзисторах на нитриде галлия, которые будут использоваться в блоках питания включая серверные и в радиочастотных модулях усилителя для телекоммуникационного оборудования.

ГК «Элемент» вложит 4,4 млрд руб. в выпуск силовых транзисторов на нитриде галлия на своем предприятии НИИЭТ в Воронеже, чтобы дополнить уже существующие мощности и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.

«Элемент» вложит 4,4 млрд руб. в производство транзисторов Совместное предприятие «Ростеха» и АФК «Система» — ГК «Элемент» — планирует инвестировать 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Проект хотят реализовать на площадке воронежской структуры группы — АО «Научно-исследовательский институт электронной техники». Об этом «Ъ» сообщили представители «Элемента». Фото: Олег Харсеев/Коммерсантъ Подписывайтесь на «Ъ-Черноземье»