Китайские ученые представили флешку с рекордной скоростью записи в 400 пикосекунд

Китайские ученые разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи, которая достигает один бит в 400 пикосекунд. Устройство получило название "PoX" и сейчас флешка превосходит даже самые быстрые существующие устройства энергозависимой памяти, которым требуется около одной-10 наносекунд для записи одного бита данных, уточняет Синьхуа. Пикосекунда - единица измерения времени, представляющая собой одну триллионную часть секунды.

Китайские ученые разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи Группа ученых из Фуданьского университета в Шанхае разработала устройство флеш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит в 400 пикосекунд. Результаты опубликованы в журнале Nature. Пикосекунда составляет одну тысячную наносекунды или одну триллионную секунды. Двухмерная энергонезависимая флеш-память с графеновым каналом получила название PoX. Она превосходит самые быстрые существующие устройства энергозависимой памяти, которые сохраняют один бит данных от 1 до 10 наносекунд. Байки лаовая. Китай. Новости

South China Morning Post: китайские исследователи из Университета Фудань представили «Посяо» «Рассвет» , самую быструю из когда-либо созданных флеш-память, которая может стирать и перезаписывать данные в 100 000 раз быстрее, чем раньше.

Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.

Китай показал самую быструю флешку в мире Учёные из Фуданьского университета показали память «Poxiao» — она в 100 000 раз быстрее обычной Запись и стирание занимают всего 400 пикосекунд 0.4 наносекунды Скорость даёт новый материал — селенид вольфрама: электроны в нём почти не тормозят Сейчас объём — 1 КБ, за 5 лет они планируют увеличить объём и выйти на рынок // Флешки вроде бы ушли в тень, но теперь есть шанс на вторую жизнь

Китайские учёные создали самую быструю флеш-память в истории Учёные из Университета Фудань представили прототип флеш-памяти «Рассвет» со скоростью записи и чтения 400 пикосекунд. Новая технология использует графен и диселенид вольфрама, что позволяет электронам двигаться почти без потерь Пока объём памяти — 1 КБ, но через пять лет планируют увеличить его до десятков мегабайт и начать коммерческий выпуск - грядет революция - главное, чтоб выгодно было Следи за новостями VA-PC Наш менеджер для связи

Спроси что угодно — умный ИИ уже готов ответить

В Китае создали флеш-накопитель с рекордной скоростью записи информации Ученые из Фуданьского университета в Шанхае совершили прорыв, разработав устройство со скоростью записи данных всего за 400 пикосекунд. В мире появилась самая быстрая технология сохранения информации, основанная на полупроводниках, отметили разработчики. Флеш-память отличается чрезвычайно низким энергопотреблением, но до сих пор устройства на ее основе отличались относительно низкой скоростью записи информации. Поэтому их практически не использовали в крупных вычислительных системах. Новая разработка не только принципиально изменит индустрию хранения данных, но и ускорит модернизацию многих отраслей промышленности. В первую очередь новое устройство можно применять в крупных моделях искусственного интеллекта, которые используют огромные массивы данных, отметили в университете. Китайская Панорама

Исследователи Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти PoX, способный обрабатывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Устройство не требует питания для хранения данных и потенциально может быть применено в маломощных ноутбуках и смартфонах, обеспечивая высокую скорость и энергоэффективность.

В Китае разработали сверхбыструю энергонезависимую память Энергонезависимая флеш-память, созданная китайскими учеными и получившая название PoX программирует один бит за 400 пикосекунд 0,0000000004 с — это примерно 25 млрд операций в секунду. Впервые скорость энергонезависимой памяти вышла на уровень самых быстрых разновидностей энергозависимых запоминающих устройств. Это достижение открывает путь для будущей высокоскоростной флеш-памяти, а также укрепляет позиции Китая в области микропроцессоров.