Новосибирский госуниверситет анонсировал прорывные материалы для памяти будущего

Получены материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего. В пресс-службе Новосибирского госуниверситета сообщили, что эти материалы смогут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию

Учёные НГУ разрабатывают новые материалы для создания элементов памяти будущего Как сообщает пресс-служба НГУ, научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» Физического факультета НГУ изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол – смеси оксида кремния и оксида германия. Научная группа занимается их исследованием уже более пяти лет и первой в мире обнаружила в этих материалах мемристорный эффект или «эффект памяти». Оксид кремния имеет более стабильную структуру, а оксид германия делает перемещение электрического заряда более лёгким. Исследователи создали плёнки с разными пропорциями этих оксидов и провели эксперименты, изучая, как ток проходит через них при разных температурах. Результаты их работы опубликованы в высокорейтинговом научном журнале Applied Physics Letters. Исследование имеет ценность не только для фундаментальной науки, но также поможет получить более совершенные элементы памяти, превосходящие привычную нам флеш-память по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.

Новосибирские учёные создали материал для флешек нового поколения Учёные аналитического и технологического исследовательского центра Новосибирского госуниверситета НГУ получили на основе германо-силикатных стёкол перспективный материал для создания элементов памяти нового поколения. Исследователи первыми в мире обнаружили в германо-силикатных стёклах «мемристорный эффект» — это переключение памяти, когда образец из одного состояния по сопротивлению в другое. «И эти состояния хранятся достаточно долго. Мы наблюдали несколько тысяч переключений и пришли к выводу о необходимости исследовать механизмы переноса транспорта в таких материалах, чтобы в дальнейшем оптимизировать конструкцию мемристоров на их основе, — цитирует вуз профессора кафедры общей физики Владимир Володин. — Наши коллеги ранее изучали механизмы переноса транспорта в оксидах кремния и оксидах германия, мы же решили исследовать их в смеси данных соединений». Ценность исследования для фундаментальной науки в том, что механизмы транспорта в этих пленках новосибирские учёные получили первыми в мире. Но есть и практическая значимость. «Германо-силикатные стёкла с таким составом кроме нас пока не исследовал никто, а мы хотели бы получить в перспективе из данного материала современные элементы памяти, которые превосходили бы привычную нам флеш-память Flash USB drive по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надежности, — пояснил аспирант Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН Иван Юшков. — В настоящее время технологии дошли до того рубежа, когда человечество из флеш-памяти выжало „максимум“: достигнуто максимальное количество циклов перезаписи, максимальная продолжительность использования, максимальные объемы по емкости на один элемент. Дальше, используя эту же технологию, кратно увеличить параметры памяти электронных приборов не представляется возможным. Помочь преодолеть эти ограничения может новый тип памяти, вроде мемристора». Мемристор представляет собой структуру металл-диэлектрик-металл, в которой тонкий слой диэлектрика обратимо меняет сопротивление при подаче переключающего импульса напряжения. И это позволяет на порядок увеличить количество циклов перезаписи. Подписаться Прислать новость Помочь бустами

РОССИЙСКИЕ УЧЕНЫЕ ПОЛУЧИЛИ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ БУДУЩЕГО Ученые из Новосибирского государственного университета создали новые материалы из кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для памяти будущего. Эти материалы предназначены для так называемых мемристоров — элементов памяти нового поколения, которые по многим параметрам лучше современной флеш-памяти, используемой в телефонах, компьютерах и USB-накопителях. Мемристоры могут выдерживать гораздо больше циклов записи и стирания данных, хранить больше информации и работать быстрее, чем флеш-память. Если флеш-память уже достигла своего предела и не может стать лучше, то мемристоры открывают совершенно новые возможности для хранения данных. Это значит, что устройства с такой памятью будут надежнее, долговечнее и эффективнее. Команда НГУ стала первой в мире, кто обнаружил особый «эффект памяти» в кремний-германиевых стеклах и изучила их свойства, связанные с электричеством и светом. В будущем ученые планируют продолжить исследования, чтобы найти лучшие настройки для мемристоров, не создавая при этом их физические модели.

Спроси что угодно — умный ИИ уже готов ответить

В Новосибирском государственном университете разработаны новые мемристоры, которые могут превзойти флеш-память по объему, циклам перезаписи и скорости доступа. Учёные первыми обнаружили мемристорный эффект в кремний-германиевых стеклах, что обещает новые возможности для хранения данных.

Флеш-память достигла предела своих возможностей. Учёные Новосибирского госуниверситета разработали новый материал для мемристоров — перспективных элементов памяти, которые работают быстрее, дольше и надёжнее.

Ученые МФТИ впервые обнаружили и объяснили причину «пробуждения» сегнетоэлектрических пленок оксида гафния. Этот материал используется при создании новых запоминающих устройств, способных заменить собой флешки. «Оказалось, что пробуждение поляризации связано с изменением структуры пленок оксида гафния... Причина этих изменений в структуре заключается в механическом напряжении, возникающем во время обработки пленки при температуре около 500°C, когда аморфная пленка переходит в кристаллическое состояние. Во время переключения поляризации в микросхемах памяти используется электрическое напряжение. Оно может вызывать изменения в кристаллической решетке, которые, в свою очередь, пытаются компенсировать механическое напряжение. Решетка "поворачивается", чтобы снизить это напряжение, что приводит к увеличению поляризации и, соответственно, к расширению окна памяти», — рассказала завлабораторией перспективных концепций хранения данных МФТИ А. Чуприк. Фото: ru.123rf.com Подробнее на портале Научная Россия #память

В Новосибирске создали новый материал, который можно использовать в качестве памяти для электроники. Разработка исследователей НГУ может стать альтернативой флеш-памяти с более быстрым и долговечным механизмом перезаписи данных. Разработка новосибирских ученых – это мемристоры. Они могут увеличивать количество циклов перезаписи в разы. Кроме того, их скорость работы выше: если у флеш-памяти один цикл длится микросекунды, то у мемристоров — наносекунды или даже пикосекунды. В основе разработки лежат германо-силикатные стекла — смесь оксидов кремния и германия. Эти материалы ранее исследовали отдельно, но новосибирские учёные впервые совместили их свойства и обнаружили в них эффект памяти. В перспективе эта технология может ускорить создание новых и более эффективных элементов памяти.

РОССИЙСКИЕ УЧЕНЫЕ ПОЛУЧИЛИ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ БУДУЩЕГО Ученые из Новосибирского государственного университета создали новые материалы из кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для памяти будущего. Эти материалы предназначены для так называемых мемристоров — элементов памяти нового поколения, которые по многим параметрам лучше современной флеш-памяти, используемой в телефонах, компьютерах и USB-накопителях. Мемристоры могут выдерживать гораздо больше циклов записи и стирания данных, хранить больше информации и работать быстрее, чем флеш-память. Если флеш-память уже достигла своего предела и не может стать лучше, то мемристоры открывают совершенно новые возможности для хранения данных. Это значит, что устройства с такой памятью будут надежнее, долговечнее и эффективнее. Команда НГУ стала первой в мире, кто обнаружил особый «эффект памяти» в кремний-германиевых стеклах и изучила их свойства, связанные с электричеством и светом. В будущем ученые планируют продолжить исследования, чтобы найти лучшие настройки для мемристоров, не создавая при этом их физические модели. Источник: НГУ #времявперёд!