Samsung и SK hynix анонсируют новые технологии памяти на ISSCC 2026

Samsung начала массовое производство GDDR7 на 24 Гбит для будущих игровых флагманов NVIDIA Компания Samsung объявила о начале массового производства 24 гигабитных 3 ГБ микросхем GDDR7 со скоростью 28 Гбит с Она также готовит два более быстрых варианта Эти решения предназначены для видеокарт серии NVIDIA RTX 50 Super и будущих моделей на архитектуре Blackwell

В 2026 году нам покажут GDDR7 на 48 Гбит с HBM4 на 36 ГБ и LPDDR6 На февральской конференции IEEE ISSCC 2026 компания SK hynix покажет 3 ГБ чипы GDDR7 со скоростью 48 Гбит с для сравнения лучшие значения решений от Samsung находятся на уровне 32 36 Гбит с При использовании шины в 512 бит это позволит пробить 2 ТБ с общей ПСП Также на IEEE ISSCC 2026 покажут новую мобильную память LPDDR6 с чипами по 2 ГБ SK Hynix обещает скорость до 14 4 Гбит с Samsung до 12 8 Гбит с Кроме этого корейцы покажут стек HBM4 объемом 36 ГБ с 12 слойной укладкой и ПСП до 3 3 ТБ с такая память будет использоваться в нейроускорителях NVIDIA Vera Rubin Мой Компьютер

SK hynix представит память GDDR7 48 Гбит с и HBM4 36 ГБ в 2026 году Также будут представлены LPDDR6 до 14 4 Гбит с и 12 слойные модули HBM4 объемом 36 ГБ с ПСП 3 3 ТБ с для ускорителей NVIDIA следующего поколения Следи за новостями VA PC Наш менеджер для связи

SK Hynix представила первую в мире 12 слойную память HBM4 IT Home На проходящей в эти дни конференции SC25 южнокорейский гигант продемонстрировал свои новые ключевые продукты Главной звездой выставки стала первая в индустрии 12 слойная память HBM4 анонсированная еще в сентябре 2025 года Этот продукт объединяет 2048 каналов ввода вывода что в два раза больше чем у предыдущего поколения HBM3

На ISSCC 2026 представят рекордную GDDR7 на 48 Гбит с HBM4 на 36 ГБ и LPDDR6 Согласно опубликованной программе февральской конференции IEEE ISSCC 2026 SK hynix впервые представит GDDR7 со скоростью 48 Гбит с Samsung покажет стек HBM4 объемом 36 ГБ и пропускной способностью до 3 3 ТБ с а обе компании раскроют первые официальные параметры LPDDR6

Samsung без лишнего шума запустила массовое производство чипов памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ с эффективной частотой 28 ГГц Такая память вероятно будет использоваться в видеокартах GeForce RTX 50 Super хотя их выход согласно имеющимся данным отложен Также компания уже производит образцы такой же памяти но частотами 32 и 36 ГГц Возможно мы увидим такие чипы уже в следующем поколении адаптеров Nvidia или AMD Мой Компьютер

Samsung запустила массовое производство GDDR7 на 24 Гбит для будущих флагманов NVIDIA Компания Samsung официально объявила о старте массового производства новых микросхем GDDR7 с плотностью 24 Гбит 3 ГБ на чип Ключевые детали Характеристики GDDR7 Плотность 24 Гбит 3 ГБ на чип Скорость 28 Гбит с массовое производство Дополнительные варианты 32 и 36 Гбит с статус Sampling Корпус 266 FBGA Обозначения K4VCF325ZC SC28 SC32 SC36 Контекст Чипы аналогичны тем что упоминались в промо RTX 5090 Рост цен на DRAM может сдвинуть релиз RTX 50 Super на Q3 2026 Тем не менее производство памяти идёт по плану Влияние на будущие видеокарты RTX 5070 Super возможная конфигурация 18 ГБ VRAM против 12 ГБ у RTX 5070 RTX 5080 Super слухи о применении более быстрых чипов GDDR7 на 32 Гбит с Новая память обеспечит рост пропускной способности и энергоэффективности Что для вас важнее в будущих видеокартах больший объём памяти или её максимальная скорость Заказать сборку ПК в InterPC Закрытый чат Наши каналы Nvidiа Sаmsung Тeхнoлoгии

Samsung начала массовое производство памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ Компания без громких анонсов начала массовый выпуск чипов GDDR7 объёмом 3 ГБ с эффективной частотой 28 ГГц Память предназначена для будущих видеокарт GeForce RTX 50 Super чей релиз был отложен Samsung также готовит образцы с частотами 32 и 36 ГГц для следующего поколения GPU неплохой рывок в памяти без видеокарт это бессмысленно Следи за новостями VA PC Наш менеджер для связи