26 ноября, 16:01

Samsung и SK hynix анонсируют новые технологии памяти на ISSCC 2026

Samsung начала массовое производство GDDR7 на 24 Гбит для будущих игровых флагманов NVIDIA Компания Samsung объявила о начале массового производства 24 гигабитных 3 ГБ микросхем GDDR7 со скоростью 28 Гбит с Она также готовит два более быстрых варианта Эти решения предназначены для видеокарт серии NVIDIA RTX 50 Super и будущих моделей на архитектуре Blackwell
DNS_Club
DNS_Club
Samsung начала массовое производство GDDR7 на 24 Гбит для будущих игровых флагманов NVIDIA Компания Samsung объявила о начале массового производства 24 гигабитных 3 ГБ микросхем GDDR7 со скоростью 28 Гбит с Она также готовит два более быстрых варианта Эти решения предназначены для видеокарт серии NVIDIA RTX 50 Super и будущих моделей на архитектуре Blackwell
В 2026 году нам покажут GDDR7 на 48 Гбит с HBM4 на 36 ГБ и LPDDR6 На февральской конференции IEEE ISSCC 2026 компания SK hynix покажет 3 ГБ чипы GDDR7 со скоростью 48 Гбит с для сравнения лучшие значения решений от Samsung находятся на уровне 32 36 Гбит с При использовании шины в 512 бит это позволит пробить 2 ТБ с общей ПСП Также на IEEE ISSCC 2026 покажут новую мобильную память LPDDR6 с чипами по 2 ГБ SK Hynix обещает скорость до 14 4 Гбит с Samsung до 12 8 Гбит с Кроме этого корейцы покажут стек HBM4 объемом 36 ГБ с 12 слойной укладкой и ПСП до 3 3 ТБ с такая память будет использоваться в нейроускорителях NVIDIA Vera Rubin Мой Компьютер
Мой Компьютер
Мой Компьютер
В 2026 году нам покажут GDDR7 на 48 Гбит с HBM4 на 36 ГБ и LPDDR6 На февральской конференции IEEE ISSCC 2026 компания SK hynix покажет 3 ГБ чипы GDDR7 со скоростью 48 Гбит с для сравнения лучшие значения решений от Samsung находятся на уровне 32 36 Гбит с При использовании шины в 512 бит это позволит пробить 2 ТБ с общей ПСП Также на IEEE ISSCC 2026 покажут новую мобильную память LPDDR6 с чипами по 2 ГБ SK Hynix обещает скорость до 14 4 Гбит с Samsung до 12 8 Гбит с Кроме этого корейцы покажут стек HBM4 объемом 36 ГБ с 12 слойной укладкой и ПСП до 3 3 ТБ с такая память будет использоваться в нейроускорителях NVIDIA Vera Rubin Мой Компьютер
На ISSCC 2026 представят рекордную GDDR7 на 48 Гбит с HBM4 на 36 ГБ и LPDDR6 Согласно опубликованной программе февральской конференции IEEE ISSCC 2026 SK hynix впервые представит GDDR7 со скоростью 48 Гбит с Samsung покажет стек HBM4 объемом 36 ГБ и пропускной способностью до 3 3 ТБ с а обе компании раскроют первые официальные параметры LPDDR6
DNS_Club
DNS_Club
На ISSCC 2026 представят рекордную GDDR7 на 48 Гбит с HBM4 на 36 ГБ и LPDDR6 Согласно опубликованной программе февральской конференции IEEE ISSCC 2026 SK hynix впервые представит GDDR7 со скоростью 48 Гбит с Samsung покажет стек HBM4 объемом 36 ГБ и пропускной способностью до 3 3 ТБ с а обе компании раскроют первые официальные параметры LPDDR6
Samsung без лишнего шума запустила массовое производство чипов памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ с эффективной частотой 28 ГГц Такая память вероятно будет использоваться в видеокартах GeForce RTX 50 Super хотя их выход согласно имеющимся данным отложен Также компания уже производит образцы такой же памяти но частотами 32 и 36 ГГц Возможно мы увидим такие чипы уже в следующем поколении адаптеров Nvidia или AMD Мой Компьютер
Мой Компьютер
Мой Компьютер
Samsung без лишнего шума запустила массовое производство чипов памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ с эффективной частотой 28 ГГц Такая память вероятно будет использоваться в видеокартах GeForce RTX 50 Super хотя их выход согласно имеющимся данным отложен Также компания уже производит образцы такой же памяти но частотами 32 и 36 ГГц Возможно мы увидим такие чипы уже в следующем поколении адаптеров Nvidia или AMD Мой Компьютер
Samsung запустила массовое производство GDDR7 на 24 Гбит для будущих флагманов NVIDIA Компания Samsung официально объявила о старте массового производства новых микросхем GDDR7 с плотностью 24 Гбит 3 ГБ на чип Ключевые детали   Характеристики GDDR7 Плотность 24 Гбит 3 ГБ на чип Скорость 28 Гбит с массовое производство Дополнительные варианты 32 и 36 Гбит с статус Sampling Корпус 266 FBGA Обозначения K4VCF325ZC SC28 SC32 SC36   Контекст Чипы аналогичны тем что упоминались в промо RTX 5090 Рост цен на DRAM может сдвинуть релиз RTX 50 Super на Q3 2026 Тем не менее производство памяти идёт по плану Влияние на будущие видеокарты RTX 5070 Super возможная конфигурация 18 ГБ VRAM против 12 ГБ у RTX 5070 RTX 5080 Super слухи о применении более быстрых чипов GDDR7 на 32 Гбит с Новая память обеспечит рост пропускной способности и энергоэффективности Что для вас важнее в будущих видеокартах больший объём памяти или её максимальная скорость Заказать сборку ПК в InterPC Закрытый чат Наши каналы Nvidiа Sаmsung Тeхнoлoгии
InterLink - СБОРКИ ИГРОВЫХ ПК / НОВОСТИ
InterLink - СБОРКИ ИГРОВЫХ ПК / НОВОСТИ
Samsung запустила массовое производство GDDR7 на 24 Гбит для будущих флагманов NVIDIA Компания Samsung официально объявила о старте массового производства новых микросхем GDDR7 с плотностью 24 Гбит 3 ГБ на чип Ключевые детали Характеристики GDDR7 Плотность 24 Гбит 3 ГБ на чип Скорость 28 Гбит с массовое производство Дополнительные варианты 32 и 36 Гбит с статус Sampling Корпус 266 FBGA Обозначения K4VCF325ZC SC28 SC32 SC36 Контекст Чипы аналогичны тем что упоминались в промо RTX 5090 Рост цен на DRAM может сдвинуть релиз RTX 50 Super на Q3 2026 Тем не менее производство памяти идёт по плану Влияние на будущие видеокарты RTX 5070 Super возможная конфигурация 18 ГБ VRAM против 12 ГБ у RTX 5070 RTX 5080 Super слухи о применении более быстрых чипов GDDR7 на 32 Гбит с Новая память обеспечит рост пропускной способности и энергоэффективности Что для вас важнее в будущих видеокартах больший объём памяти или её максимальная скорость Заказать сборку ПК в InterPC Закрытый чат Наши каналы Nvidiа Sаmsung Тeхнoлoгии