Ростех запускает крупнейшее производство кристаллов для электроники к 2030 году

Исток им Шокина входит в Ростех планирует организовать крупнейшее в стране производство кристаллов Ежемесячная мощность производства составит 1 тыс GaAs арсенид галлия пластин и 1 тыс GaN нитрид галлия пластин Кристаллы предназначены для СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем СВЧ В качестве топологических норм для GaAs указаны 0 5 мкм 0 25 мкм 0 2 мкм и 0 1 мкм Для GaN 0 25 мкм 0 1 мкм 0 06 мкм и 0 04 мкм Диметр пластин с которыми будет работать Исток составит 150 мм Имеющиеся сегодня российские кристальные производства обеспечивают выпуск СВЧ приборов на основе арсенида галлия в объеме не более 5 тыс пластин диаметром 76 мм ежегодно При этом Россия потребляет около 20 25 тыс пластин То есть отечественные производители покрывает только 20 25 потребностей рынка Подробнее www cnews ru news top 2025 10 20 rosteh postroit krupnejshuyu производствоэлектроники новостиэлектроники

Силовая электроника СВЧ GaN GaAs Производства структур на пластинах Россия К 2030 году на территории ростеховского предприятия Исток могут запустить крупносерийное производство кристаллов для силовой электроники Об этом рассказывает CNews Планируемая мощность производства может достичь 2 тысяч пластин диаметром 150 мм в месяц по 1 тысяче пластин GaAs и 1 тысяче GaN Планируется формировать на них структуры СВЧ транзисторов и монолитных ИС СВЧ Будут использоваться технологические нормы 500нм 250 нм 200нм и 100нм для GaAs а также 250нм 100нм 60нм и 40нм для GaN Новая фабрика расположится в подмосковном Фрязино Кроме фабрики в состав обновленного производства будет входить линии по производству подложек из высокоомного кремния арсенида галлия и карбида кремния а также дизайн центр проектирования СВЧ изделий Ранее сообщалось что АО НПП Исток им Шокина в рамках ОКР Т НГ 1 по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования КИП МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0 25 мкм DH025 Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования будет доступен для всех заинтересованных дизайн центров По данным зам гендиректора Истока Сергея Щербакова на сегодня в России выпуск СВЧ приборов на основе GaAs составляет не более 5 тысяч пластин диаметром 76 мм ежегодно что закрывает не более 20 25 потребностей внутреннего рынка На Истоке не прочь также создать полигон для тестирования технологического оборудования и особочистых материалов Площадь могла бы составить 10 тыс кв м объем финансирования порядка 5 8 млрд Его можно было бы ввести в эксплуатацию с 1q2027 оптимистично считают в Истоке Что осталось для меня неясным Идет ли замах на предприятие полного цикла или нет в частности планируют ли на Истоке выращивать монокристаллы самостоятельно или будут покупать готовые Будет ли свое корпусирование На каком оборудовании будет основано производство полупроводниковых структур на кристалле в частности на основе 40нм техпроцессов Разработкой установки для эпитаксии GaN on Si в России занимались например ученые и инженеры АО НИИТМ ГК Элемент НТЦ микроэлектроники РАН Петербург и ООО Софт Импакт Причем речь шла о пластинах 200 мм более интересных чем 150 мм В 2026 году АО НТО собиралось представить линейку специализированных унифицированных установок плазмохимического травления и осаждения для серийного производства СВЧ транзисторов и МИС на основе GaAs и GaN АО НПП Исток им Шокина в рамках ОКР Т НГ 1 по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования КИП МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0 25 мкм DH025 Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования как ожидается будет доступен для всех заинтересованных дизайн центров Темой GaN давно и не без успеха занимаются питерское АО Светлана Рост и новосибирское Экран оптические системы и GaAs а также и некоторые другие российские предприятия RUSmicro

На территории предприятия Ростеха Исток к 2030 г запустят самое масштабное производство кристаллов для силовой электроники Вложения в проект могут сосвить десятки миллиардов рублей www cnews ru news top 2025 10 20 rosteh postroit krupnejshuyu

Крупное производство кристаллов для силовой электроники запустят во Фрязино Проект Фабрика на территории предприятия Ростеха обещает выйти на мощность в 24 тысяч пластин ежегодно к 2030 году Проектом займется производитель СВЧ электроники Исток им Шокина входящий в структуру Ростеха Как пишет Cnews ежемесячная мощность производства составит 1 тыс GaAs арсенид галлия пластин и 1 тыс GaN нитрид галлия пластин Кристаллы предназначены для СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем СВЧ По словам заместителя гендиректора Истока Сергея Щербакова сейчас российские производства обеспечивают выпуск СВЧ приборов в объеме не более 5 тыс пластин речь о пластинах на основе арсенида галлия При этом Россия потребляет около 20 25 тыс пластин По некоторым оценкам предприятие во Фрязино может оказаться крупнейшим в стране по мощностям

Во Фрязине к 2030 году запустят крупнейшую российскую фабрику кристаллов для силовой электроники Проект Ростеха и Истока станет важным шагом к технологической независимости страны