11 октября, 04:44

Китайские ученые разработали революционный чип флэш памяти на основе 2D кремния

Северный Телеграф
Северный Телеграф
Китайские ученые изобрели первый в мире двухмерный чип флэш памяти с применением технологии построения интегральных микросхем CMOS толщина кремниевого материала в нем измеряется в атомах разработка позволит быстрее и энергоэффективнее обрабатывать данные для ИИ и может стать новым стандартом памяти пишет китайская газета China Daily
Учёные из шанхайского университета Фудань представили первый в мире полнофункциональный двумерный флэш чип инженерное достижение которое может кардинально изменить подход к хранению и обработке информации в будущих электронных устройствах Чип объединяет сверхбыструю 2D флэш память с передовой технологией КМОП комплементарных металлооксидных полупроводников на основе кремния Эксперты утверждают что это достижение может помочь преодолеть растущую проблему нехватки памяти в системах искусственного интеллекта которые обрабатывают все больше данных
AI Insider
AI Insider
Учёные из шанхайского университета Фудань представили первый в мире полнофункциональный двумерный флэш чип инженерное достижение которое может кардинально изменить подход к хранению и обработке информации в будущих электронных устройствах Чип объединяет сверхбыструю 2D флэш память с передовой технологией КМОП комплементарных металлооксидных полупроводников на основе кремния Эксперты утверждают что это достижение может помочь преодолеть растущую проблему нехватки памяти в системах искусственного интеллекта которые обрабатывают все больше данных
Китайские ученые изобрели чип флэш памяти с кремнием атомной толщины пишет китайская газета China Daily Скорость работы чипа превосходит современные технологии флэш памяти что делает его первой инженерной реализацией гибридного флэш чипа на основе 2D кремния Из за развития технологий искусственного интеллекта резко возрос спрос на более быстрый доступ к данным Исследования команды из Фуданьского университета опубликованные в Nature показали что такие чипы могут достигать скорости работы с данными в 400 пикосекунд Подписаться на РИА Новости
РИА Новости
РИА Новости
Китайские ученые изобрели чип флэш памяти с кремнием атомной толщины пишет китайская газета China Daily Скорость работы чипа превосходит современные технологии флэш памяти что делает его первой инженерной реализацией гибридного флэш чипа на основе 2D кремния Из за развития технологий искусственного интеллекта резко возрос спрос на более быстрый доступ к данным Исследования команды из Фуданьского университета опубликованные в Nature показали что такие чипы могут достигать скорости работы с данными в 400 пикосекунд Подписаться на РИА Новости
Китай сообщил о прорыве в разработке двумерных флэш чипов Группа исследователей из Шанхая применила метод системной интеграции для создания экспериментальной полнофункциональной двумерной флэш памяти Они объединили возможности сверхбыстрого энергнонезависомого запоминающего устройства с надежной кремниевой технологией КМОП Разработка ученых открывает возможность ускорения перехода революционных устройств следующего поколения от стадии исследований к стадии практического применения   hightech plus 2025 10 13 kitai soobshil o prorive v razrabotke dvumernih flesh chipov
Хайтек+
Хайтек+
Китай сообщил о прорыве в разработке двумерных флэш чипов Группа исследователей из Шанхая применила метод системной интеграции для создания экспериментальной полнофункциональной двумерной флэш памяти Они объединили возможности сверхбыстрого энергнонезависомого запоминающего устройства с надежной кремниевой технологией КМОП Разработка ученых открывает возможность ускорения перехода революционных устройств следующего поколения от стадии исследований к стадии практического применения hightech plus 2025 10 13 kitai soobshil o prorive v razrabotke dvumernih flesh chipov