Россия разрабатывает дорожную карту для отечественной EUV литографии до 2037 года

Институт физики микроструктур Российской академии наук составил долгосрочную дорожную карту для отечественного оборудования экстремальной ультрафиолетовой EUV литографии работающего на длине волны 11 2 нм дополнив информацию которой организация поделилась в декабре прошлого года Новый проект рассчитан на период с 2026 года когда будет использоваться 40 нанометровый техпроцесс до 2037 года когда будут внедрены техпроцессы менее 10 нм Последняя дорожная карта выглядит более реалистичной чем некоторые предыдущие но ей ещё предстоит доказать свою реализуемость Первое что бросается в глаза это то что предлагаемые системы EUV не повторяют архитектуру инструментов ASML Вместо этого планируется использовать совершенно другой набор технологий гибридные твердотельные лазеры источники света на основе ксеноновой плазмы и зеркала из рутения и бериллия Ru Be которые отражают свет с длиной волны 11 2 нм Использование ксенона вместо капель олова в инструментах EUV от ASML позволяет избежать образования мусора который повреждает фотошаблоны что значительно сокращает необходимость в техническом обслуживании В то же время по сравнению с инструментами DUV от ASML более низкая сложность позволяет избежать использования жидкостей для погружения под высоким давлением и многократного нанесения рисунка для сложных узлов Первая система запуск которой запланирован на 2026 2028 годы представляет собой литографический станок с разрешением 40 нм объективом с двумя зеркалами точностью наложения 10 нм полем экспозиции до 3 x 3 мм и производительностью более пяти пластин в час На втором этапе 2029 2032 гг будет представлен сканер с длиной волны 28 нм с возможностью использования длины волны 14 нм в котором используется четырёхзеркальная оптическая система Он обеспечивает точность наложения 5 нм поле экспозиции 26 x 0 5 мм и производительность более 50 пластин в час Последняя система 2033 2036 гг предназначена для производства на глубине менее 10 нм с использованием конфигурации из шести зеркал выравнивания наложения с точностью до 2 нм и размеров полей до 26 x 2 мм Она рассчитана на производительность более 100 пластин в час Ожидается что с точки зрения разрешения эти инструменты будут поддерживать диапазон от 65 до 9 нм что соответствует требованиям для многих критически важных слоёв которые будут использоваться в 2025 2027 годах Каждое поколение повышает оптическую точность и эффективность сканирования сохраняя при этом значительно более низкую стоимость единицы продукции по сравнению с платформами Twinscan NXE и EXE от ASML Примечательно что разработчики заявляют о нескольких неожиданных преимуществах использования EUV для замыкающих узлов Однако они ни разу не упомянули о сложностях связанных с использованием лазера с длиной волны 11 2 нм разные зеркала разные инструменты для полировки зеркал разная оптика разные источники света разные блоки питания резист и т д которая не является стандартной для EUV литографии В целом эта дорожная карта может отражать план России по достижению независимости в производстве микросхем за счёт обхода традиционных ограничений EUV Однако неясно насколько реализуем этот план поскольку он предполагает скачкообразный переход всей отрасли на новый уровень что ещё предстоит доказать Вместо того чтобы стремиться к максимальной производительности для гипермасштабных фабрик эти инструменты нацелены на экономически эффективное внедрение в небольших полупроводниковых производствах Предлагая чистую эффективную и масштабируемую систему литографии не требующую иммерсионной обработки или плазмы на основе олова российская платформа может заинтересовать международных клиентов которые в настоящее время не входят в экосистему ASML В случае полной реализации проект может обеспечить передовое производство микросхем как для внутреннего так и для экспортного рынка при значительно меньших капитальных и операционных затратах

Институт физики микроструктур РАН представил дорожную карту по разработке отечественных литографических установок до 2037 года В отличие от голландской ASML российский проект опирается на альтернативные технологии гибридные твердотельные лазеры ксеноновую плазму вместо капель олова и зеркала из рутения и бериллия для работы с длиной волны 11 2 нм Такой подход должен уменьшить загрязнение фотошаблонов и упростить эксплуатацию Запланированы три этапа К 2028 году планируется двухзеркальная установка для 40 нм с точностью наложения 10 нм и производительностью 5 пластин в час К 2032 му сканер на 28 нм с четырьмя зеркалами точностью 5 нм и скоростью около 50 пластин Завершающий этап 2033 2036 предусматривает систему для 10 нм с шестью зеркалами точностью 2 нм и выпуском 100 пластин в час Амбиции огромные но главный риск необходимость резкого технологического рывка всей отрасли При этом ставка делается на экономичность и локальные производства При успешной реализации Россия сможет обеспечить производство передовых микросхем для внутреннего рынка и экспорта с низкими капитальными и эксплуатационными затратами обходя ограничения традиционных EUV платформ