GS Nanotech увеличивает производство DDR4, а оверклокер устанавливает рекорд для DDR5

DDR4 x 4 Разгоняем оперативную память GS Nanotech увеличил скорость производства модулей памяти в 4 раза Для этого на флагманском предприятии Технополиса GS установили 12 современных автоматизированых тестировочных станций для DDR4 Разработкой и сборкой устройств занимались собственные специалисты Ранее на предприятии использовались заводские станции с меньшей производительностью Новое оборудование выполняет полноценное функциональное тестирование DDR4 модулей форматов DIMM и SO DIMM Процесс позволяет полностью автоматизировать цикл тестирования оператору достаточно установить модуль в слот и нажать кнопку питания все остальное выполняет система Модернизация значительно повысила эффективность и скорость производственного процесса обеспечивая более высокое качество и надежность DDR4 За счет установки нового оборудования производственная мощность GS Nanotech увеличилась до 200 тысяч модулей памяти в год Подписывайтесь на GS Group

Оперативную память стандарта DDR5 впервые разогнали выше 13 000 МТ с Оверклокер с ником SaltyCroissant установил новый мировой рекорд в разгоне оперативной памяти стандарта DDR5 Ему удалось довести тактовую частоту модуля Corsair Vengeance объемом 24 ГБ до впечатляющей отметки в 6510 МГц что обеспечивает эффективную скорость передачи данных в 13 020 МТ с Тайминги имеют значения CL68 128 128 256 1500 2T

Одно из ведущих российских предприятий микроэлектронной промышленности GS Nanotech ДжиЭс Нанотех Калининградская область 19 сентября 2025 года сообщило о значительном увеличении производства модулей оперативной памяти форматов DIMM и SO DIMM стандарта DDR4 Рост производства в 4 раза стал возможен благодаря вводу в строй сразу двенадцати автоматизированных тестировочных станций ПОДРОБНЕЕ tehnoomsk ru archives 20818