SK Hynix запускает массовое производство памяти HBM4, укрепляя свои позиции на рынке

SK Hynix объявила о завершении разработки и начале полномасштабного производства памяти HBM4 Это достижение позволяет компании укрепить позиции на рынке памяти с высокой пропускной способностью SK Hynix первой в отрасли запустила массовое производство чипов памяти HBM4 Новый продукт должен удовлетворить растущий глобальный спрос на вычислительные мощности искусственного интеллекта

SK hynix готовит память HBM4 со скоростью 10 Гбит с на канал Компания SK hynix подтвердила завершение разработки памяти HBM4 и подготовку к массовому производству Компания заявляет о двукратном увеличении пропускной способности по сравнению с предыдущим поколением благодаря переходу на интерфейс 2048 I 0 и заявляет что скорость передачи данных на контакт превышает 10 Гбит с что значительно превосходит спецификации JEDEC HBM4 в 8 Гбит с Энергоэффективность также повышается более чем на 40 а производительность ИИ сервисов после увеличивается до 69 Стандарт JEDEC HBM4 определяет скорость передачи данных 8 Гбит с на контакт через 2048 битный интерфейс Целевой показатель SK hynix более 10 Гбит с указывает на скорость превышающую базовую спецификацию но реализация этой возможности производителями ускорителей будет зависеть от используемых контроллеров и энергопакета Список продуктов HBM4 расширился и уже известно что AMD NVIDIA и Intel планируют использовать такую память в своих будущих продуктах NVIDIA внедрит HBM4 в серию ускорителей Rubin Rubin R200 и Vera Rubin а AMD подтвердила использование этого типа памяти в серии ускорителей для центров обработки данных Instinct MI400 Intel также планирует выпустить Jaguar Shores с HBM4 Большинство этих продуктов выйдут на рынок в следующем году

SK hynix завершает разработку первой в мире памяти HBM4 и подготовку к ее массовому производству SK hynix подчёркивает что её HBM4 обеспечивает самую высокую в отрасли скорость обработки данных и энергоэффективность Пропускная способность была увеличена вдвое за счёт использования 2048 терминалов ввода вывода что в два раза больше чем у предыдущего поколения а энергоэффективность повысилась более чем на 40 HBM4 также повысит производительность сервисов искусственного интеллекта на 69 что поможет устранить узкие места в передаче данных и значительно снизить энергопотребление центров обработки данных Кроме того SK hynix отметила что HBM4 превышает стандартную рабочую скорость JEDEC3 в 8 Гбит с достигая более 10 Гбит с память разработкаэлектроники новостиэлектроники

Высокоскоростная память HBM4 Корея SK hynix готова начать выпуск памяти HBM4 Корейский производитель заявил что завершил разработку 12 слойных чипов HBM4 и готов к их запуску в массовое производство Тем самым SK hynix в очередной раз опередила двух своих основных конкурентов корейскую Samsung и американскую Micron закрепляя свое тотальное доминирование на рынке высокопроизводительной памяти Об этом сообщило Reuters Компания завершила валидацию новых чипов и контроль качества HBM4 6 е поколение технологии HBM Эти микросхемы оснащены 2048 битным интерфейсом ввода вывода у HBM3E был 1024 битный и на 40 более энергоэффективны Компания уверяет что применение новых чипов памяти обеспечит прирост производительности ИИ в системах на базе HBM4 примерно на 69 В реализации HBM4 скорость считывания данных достигает 10 Гбит с на контакт больше чем в стандарте JEDEC который требует 8 Гбит с Чипы производятся по техпроцессу Advanced MR MUF4 Mass Reflow Molded Underfill это 5 е поколение техпроцесса 10нм для памяти 1bnm Новые чипы HBM4 как ожидается будут задействованы в ИИ ускорителях Nvidia Rubin Для SK Hynix сегмент HBM стал основным обеспечивая 77 выручки по итогам 2q2025 Доля компании на рынке HBM порядка 62 на середину 2025 года у Samsung 17 В Samsung надеются начать поставки своих HBM4 в 2026 году будет использоваться более продвинутый техпроцесс 4нм FinFET для базового кристалла Но SK hynix очевидно сохранит лидирующие позиции на рынке HBM как минимум в ближайший год RUSmicro