Российские ученые разработали новые фотодиоды ближнего ИК-диапазона с расширенной чувствительностью

Отечественные ученые создали и запатентовали первые в России фотодиоды ближнего ИК-диапазона, чувствительные к электромагнитному излучению. Это почти вдвое шире, чем у существующих российских аналогов. Главной сложностью при создании таких кристаллов была высокая плотность дефектов, но ученые смогли решить эту проблему, используя уникальное оборудование для выращивания полупроводников, находящееся в Алферовском университете. В сотрудничестве с промышленными партнерами им удалось создать фотодиоды, характеристики которых соответствуют лучшим мировым образцам. Новые датчики найдут применение в самых разных областях — от систем ночного видения до экологического мониторинга. Расширенный диапазон чувствительности позволит приборам ночного видения получать более детализированное изображение, комбинируя данные от отраженного света и теплового излучения объектов. Фото: ru.123rf.com Подробнее на портале Научная Россия #диоды #кристаллы

Российские ученые запатентовали фотодиоды с расширенным ИК-диапазоном, которые позволяют получать более детальное изображение в приборах ночного видения. Исследователи уверены, что их детекторы смогут заменить импортные.

В России запатентовали первые фотодиоды для систем ночного видения Эти фотодиоды могут стать основой для создания более совершенных приборов ночного видения и высокочувствительных газовых сенсоров. Для создания экспериментальных устройств был оптимизирован состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия InGaAs . Также была разработана технология, позволяющая создавать кристаллы InGaAs с высоким содержанием индия. «Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам», — рассказал Максим Соболев, заведующий лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники Алфёровского университета. Разработка открывает перспективы для создания высокочувствительных газовых сенсоров, которые могут использоваться для контроля выбросов и решения экологических проблем.

В России запатентовали первые фотодиоды для систем ночного видения В России были созданы первые фотодиоды, работающие в ближнем инфракрасном диапазоне. Эти устройства были разработаны учёными из Алфёровского университета, АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД». «Разработана технология, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам», — рассказал заведующий лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники Алфёровского университета. ⏺подписаться

Российские ученые из Санкт-Петербурга Алферовский университет и ООО «Иоффе-ЛЕД» и Великого Новгорода АО «ОКБ-Планета» запатентовали фотодиоды с расширенным ИК-диапазоном, которые позволяют получать более детальное изображение в приборах ночного видения Ранее такие датчики работали только в ближнем ИК-диапазоне 0,9–1,7 мкм , но благодаря увеличению доли индия в кристаллах чувствительность удалось расширить до 2,65 мкм — почти до границы среднего инфракрасного диапазона, пояснили исследователи Расширенный диапазон чувствительности позволит им получать более детализированное изображение, комбинируя данные от отраженного света и теплового излучения объектов, что важно в сложных условиях полная облачность, высокая влажность Исследователям оптимизировали состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия InGaAs , который используется в инфракрасных фотоприемниках Им также удалось решить проблему высокой плотности дефектов Для этого использовалось уникальное оборудование для выращивания полупроводников, находящееся в Алфероском университете Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам

Патенты. Фотодиоды. Россия В России запатентовали фотодиоды, работающие в режиме ближнего ИК Разработкой занимались ученые Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж. И. Алфёрова РАН лаборатория перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники , новгородское АО ОКБ-Планета и ООО Иоффе-ЛЕД, Петербург. Такие диоды могут использоваться в высокочувствительных газовых сенсорах и приборах ночного видения. В их основе "оптимизированный состав" InGaAs, с высоким содержанием индия, что позволило расширить рабочий диапазон фотодиодов. Разработана технология, позволяющая получать соответствующие кристаллы. Разработчики надеются, что разработка сможет быстро выйти на рынок в виде коммерчески доступных приборов, способных конкурировать с зарубежными аналогами. по материалам Наука.рф, фото - СПбАУ