Китайские ученые представили флешку с рекордной скоростью записи в 400 пикосекунд

Китайские ученые разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи, которая достигает один бит в 400 пикосекунд. Устройство получило название "PoX" и сейчас флешка превосходит даже самые быстрые существующие устройства энергозависимой памяти, которым требуется около одной-10 наносекунд для записи одного бита данных, уточняет Синьхуа. Пикосекунда - единица измерения времени, представляющая собой одну триллионную часть секунды.

В Китае создали флеш-накопитель с рекордной скоростью записи информации Ученые из Фуданьского университета в Шанхае совершили прорыв, разработав устройство со скоростью записи данных всего за 400 пикосекунд. В мире появилась самая быстрая технология сохранения информации, основанная на полупроводниках, отметили разработчики. Флеш-память отличается чрезвычайно низким энергопотреблением, но до сих пор устройства на ее основе отличались относительно низкой скоростью записи информации. Поэтому их практически не использовали в крупных вычислительных системах. Новая разработка не только принципиально изменит индустрию хранения данных, но и ускорит модернизацию многих отраслей промышленности. В первую очередь новое устройство можно применять в крупных моделях искусственного интеллекта, которые используют огромные массивы данных, отметили в университете. Китайская Панорама

В Китае разработали сверхбыструю энергонезависимую память Энергонезависимая флеш-память, созданная китайскими учеными и получившая название PoX программирует один бит за 400 пикосекунд 0,0000000004 с — это примерно 25 млрд операций в секунду. Впервые скорость энергонезависимой памяти вышла на уровень самых быстрых разновидностей энергозависимых запоминающих устройств. Это достижение открывает путь для будущей высокоскоростной флеш-памяти, а также укрепляет позиции Китая в области микропроцессоров.

Новая флешка PoX работает в 10 000 раз быстрее привычной! Учёные из Университета Фудань создали энергонезависимую память, которая пишет данные за 400 пикосекунд — это 25 миллиардов операций в секунду. Почти как оперативка, только не стирается после выключения. В чём фишка: — Вместо стандартных кремниевых каналов — двумерная структура на основе графена Дирака. — Электроны там носятся без столкновений, как на автобане без светофоров. — В разработке помог искусственный интеллект. Зачем это нужно: — Память PoX может заменить кэш SRAM в чипах для ИИ. — Снижение энергопотребления и размеров микросхем. — Моментальный запуск смартфонов, ПК и быстрая работа с базами данных. Ближайшее будущее: включил — и сразу работаешь. Без загрузок, без тормозов. Как думаете, на нашем веку застанем такую технологию в массах? #новости

Китайские ученые разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи Группа ученых из Фуданьского университета в Шанхае разработала устройство флеш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит в 400 пикосекунд. Результаты опубликованы в журнале Nature. Пикосекунда составляет одну тысячную наносекунды или одну триллионную секунды. Двухмерная энергонезависимая флеш-память с графеновым каналом получила название PoX. Она превосходит самые быстрые существующие устройства энергозависимой памяти, которые сохраняют один бит данных от 1 до 10 наносекунд. Байки лаовая. Китай. Новости

South China Morning Post: китайские исследователи из Университета Фудань представили «Посяо» «Рассвет» , самую быструю из когда-либо созданных флеш-память, которая может стирать и перезаписывать данные в 100 000 раз быстрее, чем раньше.

Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.

Исследователи Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти PoX, способный обрабатывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Устройство не требует питания для хранения данных и потенциально может быть применено в маломощных ноутбуках и смартфонах, обеспечивая высокую скорость и энергоэффективность.

Китайские учёные создали самую быструю флеш-память в истории Учёные из Университета Фудань представили прототип флеш-памяти «Рассвет» со скоростью записи и чтения 400 пикосекунд. Новая технология использует графен и диселенид вольфрама, что позволяет электронам двигаться почти без потерь Пока объём памяти — 1 КБ, но через пять лет планируют увеличить его до десятков мегабайт и начать коммерческий выпуск - грядет революция - главное, чтоб выгодно было Следи за новостями VA-PC Наш менеджер для связи

Китайцы разработали флеш-память со «сверхсветовой скоростью» — она в 100 000 раз быстрее обычного кеша В журнале Nature вышла статья, в которой учёные из Университета Фудань сообщили о разработке самой быстрой в истории флеш-памяти. Прототип работает на скорости 400 пикосекунд как при записи, так и при чтении. Новая память получила поэтическое название «Рассвет» Poxiao . Опытный экземпляр отличается скромной ёмкостью. Покорение объёмов начнётся на следующем этапе разработки. #флешпамять #китайскиеученые #квантовыетехнологии