Россия разработала первую установку для получения кристаллов нитрида галлия

В РФ создали и испытали первую отечественную промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Это одна из ключевых технологий в создании компонентов силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Отправить новость

В России создали установку для получения кристаллов полупроводников. Разработана первая отечественная установка для получения кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках, что позволит локализовать один из важных этапов в производстве силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Разработали установку специалисты из АО "НИИТМ" ГК "Элемент" , НТЦ микроэлектроники РАН и ООО "Софт-Импакт". Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах, а значит использовать их можно в машиностроении, промышленной электронике и тд. Пока готов только опытный образец установки, а серийно выпускать её обещают со следующего года. И таким образом Россия станет четвертой страной в мире, которая будет выпускать оборудование такого класса.

В России создана первая отечественная установка для производства кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. Проект реализован силами специалистов входящего в ГК «Элемент» АО «НИИТМ» совместно с другими компаниями и стал важным этапом в развитии силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Эксперты прогнозируют, что рынок компонентов на основе нитрида галлия в будущем может сравняться по объему с рынком кремниевой электроники. Устройства на основе нитрида галлия востребованы в телекоммуникационной отрасли, машиностроении, промышленной электронике, бытовой технике.

Хочешь удивить близких? Подари криптокарту! Жми за подробностями

Импортозамещение полным ходом: В России создали первую отечественную установку по производства кристаллов для чипов Как пишут Известия, это одна из ключевых технологий, необходимых для создания сверхвысокочастотной микроэлектроники. Установка позволяет получать кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Транзисторы на их основе способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Такие чипы будут очень востребованы в машиностроении, промышленной электронике, бытовой технике. Что интересно, Россия станет четвертой стране в мире, которая сможет сама производить оборудование такого класса. Фото: Известия, Сергей Лантюхов

Базовая субстанция: в РФ создали машину для роста кристаллов полупроводников Источник: Известия Российские ученые и инженеры из АО «НИИТМ» входит в ГК «Элемент» , НТЦ микроэлектроники РАН Санкт-Петербург и ООО «Софт-Импакт» разработали первую в стране установку для выращивания кристаллов нитрида галлия на кремниевых пластинах. Оборудование позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм. Как объяснили специалисты, это один из ключевых этапов в создании компонентной базы для силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники — устройств, которые широко используют в блоках питания, преобразователях и накопителях энергии. Внедрение разработки позволит локализовать в нашей стране одну из критически важных технологий. В настоящее время изготовлен опытный образец установки. Их серийное изготовление планируют начать в следующем году. Сейчас нитрид-галлиевые компоненты в основном используют для передатчиков базовых станций мобильной связи. Их можно применять в инверторах и преобразователях тока. Минус таких устройств по сравнению с конкурирующими технологиями — в ограниченном диапазоне рабочих напряжений 650–1200 В , а также в плохом теплоотводе в четыре раза меньше, чем в технологиях на базе карбида кремния . При этом нитрид галлия дает выигрыш в размерах, а карбид кремния более устойчив к перегрузкам, — пояснил заведующий лабораторией молекулярного моделирования Центра компетенций НТИ «Цифровое материаловедение: новые материалы и вещества» МГТУ им. Н.Э. Баумана Евгений Александров По его словам, технологии на основе нитрида галлия перспективны в сетях 5G-интернета, где за счет их более высоких частотных характеристик можно увеличить скорость передачи данных. Кроме того, такие технологии позволяют передавать сигнал на большее расстояние. Вместе с тем нитрид-галлиевые приборы позволяют уменьшить массу металл-ионных аккумуляторов, масштабное производство которых разворачивается в нашей стране.

В РФ создали и испытали первую отечественную промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Это одна из ключевых технологий в создании компонентов силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Такие устройства востребованы в машиностроении, промышленной электронике, бытовой технике. Россия — четвертая страна в мире, которая станет производить оборудование такого класса. По совокупности параметров разработка превосходит зарубежные аналоги. Серийное производство техники планируют запустить в 2025 году.