Россия разработала первую установку для получения кристаллов нитрида галлия

В РФ создали и испытали первую отечественную промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Это одна из ключевых технологий в создании компонентов силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Отправить новость

В России создали установку для получения кристаллов полупроводников. Разработана первая отечественная установка для получения кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках, что позволит локализовать один из важных этапов в производстве силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Разработали установку специалисты из АО "НИИТМ" ГК "Элемент" , НТЦ микроэлектроники РАН и ООО "Софт-Импакт". Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах, а значит использовать их можно в машиностроении, промышленной электронике и тд. Пока готов только опытный образец установки, а серийно выпускать её обещают со следующего года. И таким образом Россия станет четвертой страной в мире, которая будет выпускать оборудование такого класса.

В России создана первая отечественная установка для производства кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. Проект реализован силами специалистов входящего в ГК «Элемент» АО «НИИТМ» совместно с другими компаниями и стал важным этапом в развитии силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Эксперты прогнозируют, что рынок компонентов на основе нитрида галлия в будущем может сравняться по объему с рынком кремниевой электроники. Устройства на основе нитрида галлия востребованы в телекоммуникационной отрасли, машиностроении, промышленной электронике, бытовой технике.

В РФ создали и испытали первую отечественную промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Это одна из ключевых технологий в создании компонентов силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Такие устройства востребованы в машиностроении, промышленной электронике, бытовой технике. Россия — четвертая страна в мире, которая станет производить оборудование такого класса. По совокупности параметров разработка превосходит зарубежные аналоги. Серийное производство техники планируют запустить в 2025 году.

Российские ученые создали первую промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия. Оборудование позволяет вырастить структуры на кремниевых подложках. Полученные полупроводники формируют основу для микрочипа. Нитрид галлия можно применять в самых мощных устройствах. Такие компоненты подходят для блоков питания, преобразователей и накопителей энергии. Вещество также используется для быстрых зарядных станций. Подобная инфраструктура востребована для бытовых и промышленных систем, как, например, электробусы, БПЛА и прочие устройства. Технологии на основе нитрида галлия также перспективны в сетях 5G-интернета, за их счет увеличивается скорость передачи данных. Ученые отметили, что новая установка опережает зарубежные аналоги, а одним из ключевых преимуществ разработки является то, что российские специалисты смогут самостоятельно обслуживать оборудование. Отправить новость

Первая российская установка для выращивания кристаллов полупроводников прошла испытания Российские ученые и инженеры из НИИТМ, НТЦ микроэлектроники РАН и компании «Софт-Импакт» разработали и изготовили первую в России промышленную установку ЭПИФАЗ ТМ 200 для выращивания кристаллов или эпитаксии нитрида галлия на кремниевых пластинах. Это один из ключевых этапов в создании компонентной базы для силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Он позволяет формировать на подложке основу для микрочипа, после чего на других установках производятся процессы травления, осаждения, металлизации, нанесения покрытий, а также резка и корпусирование. Новое отечественное оборудование позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм. «При круглосуточной работе машина может выпускать до 2 тыс. пластин в год, то есть порядка шести в сутки. Однако это достаточно много, поскольку на одной пластине может разместиться до нескольких десятков тысяч транзисторов», рассказал «Известиям» начальник лаборатории разработки эпитаксиального оборудования НИИТМ Дмитрий Пугачев. Он отметил, что оборудование для эпитаксии из металлоорганических соединений сейчас создают только компании из Германии, США и Японии. В России серийное изготовление таких промышленных установок планируют начать в 2025 г. Фото: ГК «Элемент» #Микроэлектроника Отдать голос за

В России запустили в продажу новогодний подарок, который опережает время

Импортозамещение полным ходом: В России создали первую отечественную установку по производства кристаллов для чипов Как пишут Известия, это одна из ключевых технологий, необходимых для создания сверхвысокочастотной микроэлектроники. Установка позволяет получать кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Транзисторы на их основе способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Такие чипы будут очень востребованы в машиностроении, промышленной электронике, бытовой технике. Что интересно, Россия станет четвертой стране в мире, которая сможет сама производить оборудование такого класса. Фото: Известия, Сергей Лантюхов

Базовая субстанция: в РФ создали машину для роста кристаллов полупроводников Источник: Известия Российские ученые и инженеры из АО «НИИТМ» входит в ГК «Элемент» , НТЦ микроэлектроники РАН Санкт-Петербург и ООО «Софт-Импакт» разработали первую в стране установку для выращивания кристаллов нитрида галлия на кремниевых пластинах. Оборудование позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм. Как объяснили специалисты, это один из ключевых этапов в создании компонентной базы для силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники — устройств, которые широко используют в блоках питания, преобразователях и накопителях энергии. Внедрение разработки позволит локализовать в нашей стране одну из критически важных технологий. В настоящее время изготовлен опытный образец установки. Их серийное изготовление планируют начать в следующем году. Сейчас нитрид-галлиевые компоненты в основном используют для передатчиков базовых станций мобильной связи. Их можно применять в инверторах и преобразователях тока. Минус таких устройств по сравнению с конкурирующими технологиями — в ограниченном диапазоне рабочих напряжений 650–1200 В , а также в плохом теплоотводе в четыре раза меньше, чем в технологиях на базе карбида кремния . При этом нитрид галлия дает выигрыш в размерах, а карбид кремния более устойчив к перегрузкам, — пояснил заведующий лабораторией молекулярного моделирования Центра компетенций НТИ «Цифровое материаловедение: новые материалы и вещества» МГТУ им. Н.Э. Баумана Евгений Александров По его словам, технологии на основе нитрида галлия перспективны в сетях 5G-интернета, где за счет их более высоких частотных характеристик можно увеличить скорость передачи данных. Кроме того, такие технологии позволяют передавать сигнал на большее расстояние. Вместе с тем нитрид-галлиевые приборы позволяют уменьшить массу металл-ионных аккумуляторов, масштабное производство которых разворачивается в нашей стране.

Самосборка электроники: новый метод производства транзисторов Исследователи из Университета Северной Каролины разработали метод "самосборки" наноразмерных компонентов. Новая технология может полностью изменить подход к производству компьютерных чипов, сделав его быстрее, дешевле и надежнее. Как это работает? Команда использует сплав индия, висмута и олова, известный как металл Филдса. Процесс самосборки происходит в несколько этапов: Жидкий металл помещается рядом с формой любого размера и формы При контакте с кислородом на поверхности металла образуется тонкий оксидный слой Специальный раствор с отрицательно заряженными молекулами-лигандами извлекает отдельные атомы металла из оксидного слоя Металлические ионы в лигандах действуют как магнитные строительные блоки Капиллярное действие заставляет раствор течь по каналам формы, выстраивая структуры После испарения жидкости конструкция нагревается до 600°C. При этом происходит удивительная трансформация: лиганды распадаются, высвобождая атомы углерода и кислорода. Кислород соединяется с металлическими ионами, образуя полупроводниковые оксиды, а углерод самоорганизуется в защитный слой графена вокруг проводников. Команде удалось создать проводники толщиной от 1000 до 44 нанометров. Для сравнения, современные производители, такие как TSMC, работают с структурами размером до 3 нанометров. Новая технология пока не может конкурировать с такой точностью, но она в несколько раз быстрее, дешевле, а также обеспечивает намного больший выход годной продукции. Профессор Мартин Туо, ведущий автор исследования, подчеркивает: "Мы показали, что можем создавать высокоструктурированные, настраиваемые электронные материалы для функциональных устройств." Следующий шаг - создание более сложных устройств, таких как трехмерные чипы.

Российские ученые создали первую промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия. Оборудование позволяет вырастить структуры на кремниевых подложках. Полученные полупроводники формируют основу для микрочипа. Нитрид галлия можно применять в самых мощных устройствах. Такие компоненты подходят для блоков питания, преобразователей и накопителей энергии. Вещество также используется для быстрых зарядных станций. Подобная инфраструктура востребована для бытовых и промышленных систем, как, например, электробусы, БПЛА и прочие устройства. Технологии на основе нитрида галлия также перспективны в сетях 5G-интернета, за их счет увеличивается скорость передачи данных. Ученые отметили, что новая установка опережает зарубежные аналоги, а одним из ключевых преимуществ разработки является то, что российские специалисты смогут самостоятельно обслуживать оборудование.